SBC857BLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-23-3
描述:	PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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SBC857BLT1G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	100 MHz
引脚数	3 Pin
封装	SOT-23-3
针脚数	3 Position
极性	PNP
功耗	225 mW
击穿电压(集电极-发射极)	45 V
集电极最大允许电流	0.1A
最小电流放大倍数	220 @2mA, 5V
额定功率(Max)	300 mW
直流电流增益(hFE)	150
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300 mW

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SBC857BLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	3.04 mm
宽度	2.64 mm
高度	1.11 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SBC857BLT1G 符合标准

SBC857BLT1G 海关信息

SBC857BLT1G 概述

SBC857BLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

SBC857BLT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.14 MByte

SBC857BLT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.54 MByte

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PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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