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IXFN32N120P
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IXFN32N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N沟道 1.2kV 32A
PDF文件:IXFN32N120P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXFN32N120P 数据手册 (5 页)
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IXFN32N120P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗830 W
阈值电压6.5 V
漏源极电压(Vds)1200 V
连续漏极电流(Ids)32A
上升时间62 ns
输入电容值(Ciss)21000pF @25V(Vds)
下降时间48 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1000W (Tc)
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IXFN32N120P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFN32N120P 数据手册

IXFN32N120P 数据手册
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