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FS100R17KE3
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FS100R17KE3 数据手册 (8 页)
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FS100R17KE3 技术参数、封装参数

FS100R17KE3 外形尺寸、物理参数、其它

FS100R17KE3 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.44 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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FS100R17 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon FS100R17PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.95 V, 600 W, 1.7 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
EconoPACK3模块快速IGBT2和碳化硅二极管的高频率切换和NTC EconoPACK3 module with fast IGBT2 and SiC Diode for high frequency switching and NTC
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 145 A, 2 V, 555 W, 1.7 kV, Module
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