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IXFN360N10T
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IXFN360N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXFN 系列 单通道 N 沟道 100 Vds 2.6 mOhm 830 W 功率 MOSFET - SOT-227B
PDF文件:IXFN360N10T 数据手册 (7 页)
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IXFN360N10T 数据手册 (7 页)
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IXFN360N10T 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
漏源极电阻0.0026 Ω
极性N-CH
功耗830 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)360A
上升时间142 ns
输入电容值(Ciss)36000pF @25V(Vds)
下降时间26 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)830W (Tc)
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IXFN360N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFN360N10T 数据手册

IXFN360N10T 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.17 MByte
IXFN360N10T 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.17 MByte

IXFN360N10 数据手册

IXFN360N10T 数据手册
IXYS Semiconductor
IXFN 系列 单通道 N 沟道 100 Vds 2.6 mOhm 830 W 功率 MOSFET - SOT-227B
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