Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFN36N110P Datasheet 文档
IXFN36N110P
来自 AiPCBA

IXFN36N110P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXFN36N110P 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXFN36N110P 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFN36N110P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗1000W (Tc)
漏源极电压(Vds)1100 V
连续漏极电流(Ids)36A
输入电容值(Ciss)23000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1000 W
耗散功率(Max)1000W (Tc)
查看数据手册 >

IXFN36N110P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXFN36N110P 数据手册

IXFN36N110P 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.11 MByte
IXFN36N110P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.1 MByte

IXFN36N110 数据手册

IXFN36N110P 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet