类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Screw |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 1.00 kV |
额定电流 | 36.0 A |
封装 | SOT-227-4 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.24 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 700 W |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 1 kV |
连续漏极电流(Ids) | 36.0 A |
上升时间 | 55 ns |
隔离电压 | 2.50 kV |
输入电容值(Ciss) | 9200pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 W |
下降时间 | 30 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 700000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 38.23 mm |
宽度 | 25.42 mm |
高度 | 9.6 mm |
重量 | 46.0 g |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ 系列
●### MOSFET 晶体管,IXYS
●IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V
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