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IXFX200N10P
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IXFX200N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFX200N10P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXFX200N10P 数据手册 (5 页)
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IXFX200N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻7.5 mΩ
功耗830 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)7600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)830 W
下降时间90 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)830W (Tc)
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IXFX200N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.34 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXFX200N10P 数据手册

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IXYS Semiconductor
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