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IXFX26N100P
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IXFX26N100P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXFX26N100P 数据手册 (4 页)
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IXFX26N100P 数据手册 (4 页)
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IXFX26N100P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗780W (Tc)
漏源极电压(Vds)1000 V
连续漏极电流(Ids)20A
输入电容值(Ciss)11900pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)780W (Tc)
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IXFX26N100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度5.21 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFX26N100P 数据手册

IXFX26N100P 数据手册
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