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IXFX20N120P
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IXFX20N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFX20N120P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 V
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IXFX20N120P 数据手册 (4 页)
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IXFX20N120P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.57 Ω
极性N-Channel
功耗780 W
阈值电压6.5 V
漏源极电压(Vds)1.2 kV
漏源击穿电压1200 V
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)11100pF @25V(Vds)
下降时间70 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)780W (Tc)
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IXFX20N120P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.34 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFX20N120P 数据手册

IXFX20N120P 数据手册
IXYS Semiconductor
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