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> IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXGH20N60AU1 Datasheet 文档
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IXGH20N60AU1 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-247-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXGH20N60AU1 数据手册
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IXGH20N60AU1 数据手册 (5 页)
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IXGH20N60AU1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
150000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
150 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW
IXGH20N60AU1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
IXGH20N60AU1 符合标准
IXGH20N60AU1 概述
IGBT - 通孔 TO-247AD(IXGH)
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