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IXGH30N60B2D1
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IXGH30N60B2D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXGH30N60B2D1 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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IXGH30N60B2D1 数据手册 (6 页)
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IXGH30N60B2D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率190 W
功耗190000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)190 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)190000 mW
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IXGH30N60B2D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGH30N60B2D1 数据手册

IXGH30N60B2D1 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.49 MByte
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