Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > IXYS Semiconductor > IXGH30N60C3D1 Datasheet 文档
IXGH30N60C3D1
来自 AiPCBA

IXGH30N60C3D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXGH30N60C3D1 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXGH30N60C3D1 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXGH30N60C3D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗220000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)220 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)220000 mW
查看数据手册 >

IXGH30N60C3D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度5.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXGH30N60C3D1 数据手册

IXGH30N60C3D1 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.82 MByte
IXGH30N60C3D1 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.21 MByte

IXGH30N60C3 数据手册

IXGH30N60C3 数据手册
IXYS Semiconductor
600V 30A G-系列 A3 B3 C3 TO-247
IXGH30N60C3C1 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGH30N60C3C1  单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
IXGH30N60C3D1 数据手册
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet