IXGH48N60B3D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-247-3
描述:	IGBT-PT-600V-300W-通孔-TO-247AD（IXGH）
PDF文件:	IXGH48N60B3D1 数据手册 (4 页)
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IXGH48N60B3D1 数据手册 (4 页)

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IXGH48N60B3D1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
功耗	300000 mW
击穿电压(集电极-发射极)	600 V
反向恢复时间	100 ns
额定功率(Max)	300 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300000 mW

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IXGH48N60B3D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGH48N60B3D1 符合标准

IXGH48N60B3D1 海关信息

IXGH48N60B3D1 概述

IXGH48N60B3D1 数据手册

IXYS Semiconductor

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IXGH48N60B3 数据手册

IXYS Semiconductor

IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IXGH48N60B3C1 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXGH48N60B3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 75 A, 1.8 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

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IGBT-PT-600V-300W-通孔-TO-247AD（IXGH）

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