| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 2.50 A |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 165 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 160pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 2.5 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 60 V 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 0.87 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
3 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1 页 / 0.16 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
