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IXGT32N60BD1
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IXGT32N60BD1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-268-3
PDF文件:IXGT32N60BD1 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXGT32N60BD1 数据手册 (5 页)
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IXGT32N60BD1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-268-3
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)200 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IXGT32N60BD1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.05 mm
宽度14 mm
高度5.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGT32N60BD1 数据手册

IXGT32N60BD1 数据手册
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