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IXKK85N60C
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IXKK85N60C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:IXKK 系列 单 N 沟道 600 V 36 mOhm 700 W 功率 Mosfet - TO-264
PDF文件:IXKK85N60C 数据手册 (4 页)
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焊盘图
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IXKK85N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-264-3
通道数1 Channel
漏源极电阻30 mΩ
极性N-CH
功耗-
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)85A
上升时间27 ns
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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IXKK85N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度20.29 mm
宽度5.31 mm
高度26.59 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXKK85N60C 数据手册

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IXKK 系列 单 N 沟道 600 V 36 mOhm 700 W 功率 Mosfet - TO-264
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