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IXKR40N60C
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IXKR40N60C 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXKR40N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 38 A, 600 V, 70 mohm, 10 V, 3.9 V
PDF文件:IXKR40N60C 数据手册 (2 页)
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IXKR40N60C 数据手册 (2 页)
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IXKR40N60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.07 Ω
极性N-Channel
功耗280 W
阈值电压3.9 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)38.0 A
上升时间30 ns
隔离电压2.50 kV
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
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IXKR40N60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXKR40N60C 数据手册

IXKR40N60C 数据手册
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.1 MByte
IXKR40N60C 开发手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 1.89 MByte
IXKR40N60C 产品手册
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.04 MByte

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