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IXSN62N60U1
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IXSN62N60U1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXSN62N60U1 数据手册 (2 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXSN62N60U1 数据手册 (2 页)
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IXSN62N60U1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
功耗250000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)4.5nF @25V
额定功率(Max)250 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)250000 mW
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IXSN62N60U1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度25.07 mm
高度9.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXSN62N60U1 数据手册

IXSN62N60U1 数据手册
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