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IXSN35N100U1
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IXSN35N100U1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
PDF文件:IXSN35N100U1 数据手册 (6 页)
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IXSN35N100U1 数据手册 (6 页)
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IXSN35N100U1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Chassis
封装SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)1000 V
输入电容值(Cies)4.5nF @25V
额定功率(Max)205 W
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IXSN35N100U1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXSN35N100U1 数据手册

IXSN35N100U1 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.07 MByte
IXSN35N100U1 其他数据使用手册
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