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IXTA1N170DHV
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IXTA1N170DHV 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道 1.7kV 1A
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTA1N170DHV 数据手册 (5 页)
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IXTA1N170DHV 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
功耗290 W
漏源极电压(Vds)1700 V
上升时间38 ns
输入电容值(Ciss)3090pF @25V(Vds)
下降时间216 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)290W (Tc)

IXTA1N170DHV 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTA1N170DHV 数据手册

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IXYS Semiconductor
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IXTA1N170 数据手册

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