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IXTH80N20L
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IXTH80N20L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXTH80N20L 系列 200 V 80 A N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3
PDF文件:IXTH80N20L 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTH80N20L 数据手册 (5 页)
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IXTH80N20L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
漏源极电阻32 mΩ
极性N-CH
功耗520 W
输入电容616 pF
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)80A
上升时间44 ns
输入电容值(Ciss)6160pF @25V(Vds)
下降时间29 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)520W (Tc)
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IXTH80N20L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH80N20L 数据手册

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