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IXTH102N15T

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IXTH102N15T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:	IXYS Semiconductor
分类:	MOS管
封装:	TO-247-3
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IXTH102N15T 数据手册 (7 页)

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IXTH102N15T 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-247-3
极性	N-CH
功耗	455W (Tc)
漏源极电压(Vds)	150 V
连续漏极电流(Ids)	102A
输入电容值(Ciss)	5220pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)	455W (Tc)

IXTH102N15T 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXTH102N15T 符合标准

IXTH102N15T 概述

IXTH102N15T 数据手册

IXTH102N15T 其他数据使用手册

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