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IXTH10N100D
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IXTH10N100D 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXTH10N100D 数据手册 (5 页)
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IXTH10N100D 数据手册 (5 页)
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IXTH10N100D 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1.4 Ω
功耗400 W
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1000 V
上升时间85 ns
输入电容值(Ciss)2500pF @25V(Vds)
下降时间75 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)400W (Tc)
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IXTH10N100D 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH10N100D 数据手册

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