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IXTH10P60
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IXTH10P60 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:通孔 P 通道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
PDF文件:IXTH10P60 数据手册 (6 页)
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IXTH10P60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-600 V
额定电流-10.0 A
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻1 Ω
极性P-CH
功耗300 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTH10P60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH10P60 数据手册

IXTH10P60 数据手册
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