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IXTH11P50
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IXTH11P50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXTH 系列 单 P沟道 500 V 750 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 AD
PDF文件:IXTH11P50 数据手册 (5 页)封装尺寸在2 页4 页
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IXTH11P50 数据手册 (5 页)
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IXTH11P50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-500 V
额定电流-11.0 A
封装TO-247-3
额定功率300 W
功耗300 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
上升时间27 ns
输入电容值(Ciss)4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTH11P50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH11P50 数据手册

IXTH11P50 数据手册
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