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STS8C5H30L
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STS8C5H30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V
PDF文件:STS8C5H30L 数据手册 (9 页)
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STS8C5H30L 数据手册 (9 页)
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STS8C5H30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电流8.00 A
封装SOIC-8
通道数2 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.018 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.6 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)8.00 A, 4.20 A
上升时间35.0 ns
输入电容值(Ciss)857pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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STS8C5H30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.65 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STS8C5H30L 数据手册

STS8C5H30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.14 MByte
STS8C5H30L 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.45 MByte
STS8C5H30L 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
19 页 / 0.81 MByte
STS8C5H30L 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
STS8C5H30L 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte

STS8C5H30 数据手册

STS8C5H30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V
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