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IXTH200N10T
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IXTH200N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 100V 200A
PDF文件:IXTH200N10T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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IXTH200N10T 数据手册 (6 页)
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IXTH200N10T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗550W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间31 ns
输入电容值(Ciss)9400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)550 W
下降时间34 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)550W (Tc)
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IXTH200N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTH200N10T 数据手册

IXTH200N10T 数据手册
IXYS Semiconductor
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