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IXTH64N10L2
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IXTH64N10L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道 100V 64A
Pictures:
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焊盘图
引脚图
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IXTH64N10L2 数据手册 (6 页)
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IXTH64N10L2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗357W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)64A
输入电容值(Ciss)3620pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)357W (Tc)

IXTH64N10L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH64N10L2 数据手册

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IXYS Semiconductor
6 页 / 0.16 MByte

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