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IXTH76P10T
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IXTH76P10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:P沟道 100V 76A
PDF文件:IXTH76P10T 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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IXTH76P10T 数据手册 (6 页)
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IXTH76P10T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性P-CH
功耗298 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)76A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)13700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)298 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)298W (Tc)
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IXTH76P10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTH76P10T 数据手册

IXTH76P10T 数据手册
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.21 MByte
IXTH76P10T 其他数据使用手册
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