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QSZ4TR
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QSZ4TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TSOT-23-5
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP
PDF文件:QSZ4TR 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
QSZ4TR 数据手册 (5 页)
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QSZ4TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率280 MHz
引脚数5 Pin
封装TSOT-23-5
额定功率1.25 W
极性NPN+PNP
功耗1.25 W
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数270 @200mA, 2V
最大电流放大倍数680
额定功率(Max)1.25 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1250 mW
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QSZ4TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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QSZ4TR 数据手册

QSZ4TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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