Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTH96N20P Datasheet 文档
IXTH96N20P
来自 AiPCBA

IXTH96N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH96N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 V
PDF文件:IXTH96N20P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTH96N20P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTH96N20P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.024 Ω
极性N-Channel
功耗600 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)96.0 A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)4800pF @25V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600W (Tc)
查看数据手册 >

IXTH96N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTH96N20P 数据手册

IXTH96N20P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.19 MByte
IXTH96N20P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
1 页 / 0.37 MByte

IXTH96N20 数据手册

IXTH96N20P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH96N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet