STB4NK60ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	STMICROELECTRONICS STB4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V
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STB4NK60ZT4 数据手册 (16 页)

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STB4NK60ZT4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	4.00 A
封装	TO-263-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	1.76 Ω
极性	N-Channel
功耗	70 W
阈值电压	3.75 V
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	2.00 A
上升时间	9.5 ns
输入电容值(Ciss)	510pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	70 W
下降时间	16.5 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	70000 mW

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STB4NK60ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.4 mm
宽度	9.35 mm
高度	4.6 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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STB4NK60ZT4 符合标准

STB4NK60ZT4 海关信息

STB4NK60ZT4 概述

STB4NK60ZT4 数据手册

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STB4NK60ZT4 产品封装文件

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