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IXTP05N100
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IXTP05N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220AB
PDF文件:IXTP05N100 数据手册 (5 页)
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焊盘图
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IXTP05N100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻17 Ω
极性N-CH
功耗40 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)1000 V
漏源击穿电压1000 V
连续漏极电流(Ids)0.75A
上升时间19 ns
输入电容值(Ciss)260pF @25V(Vds)
下降时间28 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)40W (Tc)
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IXTP05N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.41 mm
宽度4.83 mm
高度16 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTP05N100 数据手册

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IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220AB
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