| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 300 |
| 直流电流增益(hFE) | 450 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -350mV/-0.35V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 480mW/0.48W Description & Applications| 40 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation • Enhanced performance over SOT23 1A standard packaged transistor. • SOT23 plastic package. • NPN complement: PBSS4240T. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers). 描述与应用| 40伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 •增强的性能超过SOT231A标准包装的晶体管。 •SOT23塑料包装。 •NPN补充：PBSS4240T。 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •重型电池供电设备（电机和灯驱动器）。
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5240T,215 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -2 A, 450 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5240T 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 300 mW, 2 A, 450 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
