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IXTP110N055P
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IXTP110N055P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
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符号图
焊盘图
引脚图
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IXTP110N055P 数据手册 (5 页)
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IXTP110N055P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗390W (Tc)
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)110A
输入电容值(Ciss)2210pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)390W (Tc)

IXTP110N055P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXTP110N055P 数据手册

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IXYS Semiconductor
5 页 / 0.24 MByte

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