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IXTP110N055T 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTP110N055T 数据手册
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IXTP110N055T 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
230W (Tc)
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
110A
输入电容值(Ciss)
3080pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
230W (Tc)
IXTP110N055T 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
IXTP110N055T 符合标准
IXTP110N055T 概述
通孔 N 通道 55 V 110A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
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