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IXTQ200N10T
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IXTQ200N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:N沟道 100V 200A
PDF文件:IXTQ200N10T 数据手册 (5 页)
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IXTQ200N10T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-3-3
极性N-CH
功耗550W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)200A
输入电容值(Ciss)9400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)550W (Tc)
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IXTQ200N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTQ200N10T 数据手册

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