| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.067 Ω |
| 功耗 | 0.89 W |
| 阈值电压 | 1.25 V |
| 输入电容 | 618 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 618pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 480 mW |
| 下降时间 | 17 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 480mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 2.8A（Ta） 480mW（Ta），6.25W（Tc） TO-236AB
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
PMV 系列 20 V 76 mΩ 1.92 W P 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET -SOT-23
NXP（恩智浦）
NXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV
Nexperia（安世）
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.3A P=890mW
Nexperia（安世）
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A P=490mW
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.067 ohm, -4.5 V, -1 V
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 40 V, 0.064 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia（安世）
P 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET
Panduit（泛达）
环形舌片端子, M5, #10, 10 AWG, 6 mm², PMV Series, 黄色
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