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IXTQ22N60P
来自 AiPCBA

IXTQ22N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:N沟道 600V 22A
PDF文件:IXTQ22N60P 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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IXTQ22N60P 数据手册 (5 页)
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IXTQ22N60P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流22.0 A
封装TO-3-3
通道数1 Channel
漏源极电阻350 mΩ
功耗400 W
输入电容3.60 nF
栅电荷62.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)22.0 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)3600pF @25V(Vds)
下降时间23 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)400W (Tc)
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IXTQ22N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.8 mm
宽度4.9 mm
高度20.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTQ22N60P 数据手册

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