| 类型 | 描述 |
|---|
| 触点数 | 3 Contact |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 800 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 转换速率 | 10.0 V/μs |
| 保持电流(Max) | 5 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 110℃ |
反向重复峰值电压VRRM/断态重复峰值电压VDRMRepetitive peak reverse voltage/Repetitive peak off-state voltage| 200V \---|--- 通态平均电流IT(AV)Average on-state current| 通态最大电流IT(RMS)RMS on-state current| 0.8A 栅极触发电压VGTGate trigger voltage | 0.8V 栅极触发电流IGTGate trigger current| 200μA 保持电流IHHolding current | 5mA 峰值通态电压VTMOn-state voltage| 1.7V 重复峰值断态电流IDRMRepetitive peak off-state current | 10μA 浪涌电流ITSM(50Hz、60Hz)Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)| 8A Description & Applications| Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Sensitive Gate Trigger Current Blocking Voltage to 600 V Glass Passivated Surface for Reliability and Uniformity Surface Mount Package Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 敏感栅 可控硅整流器 敏感的门触发电流 阻断电压为600 V 玻璃表面钝化的可靠性和一致性 表面贴装封装 提供无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Littelfuse（力特）
MCR08BT1G 系列 200 V 0.8 A 可控硅整流器 - SOT-223
Littelfuse（力特）
晶闸管, 600 V, 200 µA, 800 mA, 800 mA, SOT-223, 4 引脚
We En Semiconductor
MCR08BT1 系列 200 V 0.5 A 灵敏栅极 逻辑电平 晶闸管 - SOT-223
ON Semiconductor（安森美）
敏感栅硅控整流器 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
ON Semiconductor（安森美）
MCR08BT1 闸流晶体管, 0.5A额定, 200V峰值, 200μA 0.8V触发, 4针 SOT-223封装
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MCR08MT1G 晶闸管, 600 V, 200 µA, 0.8 A, 800 mA, SOT-223, 4 引脚
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MCR08BT1G 晶闸管
NXP（恩智浦）
NXP Semiconductors### 闸流晶体管 - NXP Semiconductors闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。
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