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IXTQ52N30P
来自 AiPCBA

IXTQ52N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:N沟道 300V 52A
PDF文件:IXTQ52N30P 数据手册 (6 页)封装尺寸在2 页4 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IXTQ52N30P 数据手册 (6 页)
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IXTQ52N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
通道数1 Channel
漏源极电阻66 mΩ
极性N-CH
功耗400 W
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
连续漏极电流(Ids)52A
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)3490pF @25V(Vds)
额定功率(Max)400 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400W (Tc)
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IXTQ52N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.8 mm
宽度4.9 mm
高度20.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTQ52N30P 数据手册

IXTQ52N30P 数据手册
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N沟道 300V 52A
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