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IXTQ52P10P
来自 AiPCBA

IXTQ52P10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:P沟道 100V 52A
PDF文件:IXTQ52P10P 数据手册 (6 页)
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IXTQ52P10P 数据手册 (6 页)
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IXTQ52P10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
极性P-CH
功耗300 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)52A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)2845pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IXTQ52P10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXTQ52P10P 数据手册

IXTQ52P10P 数据手册
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