类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PowerVDFN-8 |
通道数 | 2 Channel |
极性 | N-CH |
功耗 | 65 W |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 20A |
上升时间 | 7.7 ns |
输入电容值(Ciss) | 668pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 65 W |
下降时间 | 5 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 65000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
60V,22.5mOhm,7.8A,双N沟道功率MOSFET
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