Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTQ69N30P Datasheet 文档
IXTQ69N30P
来自 AiPCBA

IXTQ69N30P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:N沟道 300V 69A
PDF文件:IXTQ69N30P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTQ69N30P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTQ69N30P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
极性N-CH
功耗500 W
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)69A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)4960pF @25V(Vds)
额定功率(Max)500 W
下降时间27 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
查看数据手册 >

IXTQ69N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTQ69N30P 数据手册

IXTQ69N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte
IXTQ69N30P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.13 MByte

IXTQ69N30 数据手册

IXTQ69N30P 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 300V 69A
IXTQ69N30PM 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 300V 25A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet