| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 179 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 1200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35A |
| 上升时间 | 33 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1850pF @800V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 179 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 262W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.9 mm |
| 宽度 | 20.95 mm |
| 高度 | 5.03 mm |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
SCH2080KEC是一款N沟道SiC (碳化硅) MOSFET, 具有高耐压, 低导通电阻与快开关速度.
● 快速反向恢复
● 易于并联
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ROHM SCH2080KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
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N沟道SiC功率MOSFET共同封装采用SiC -SBD N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD
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