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IXTQ75N10P
来自 AiPCBA

IXTQ75N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-3-3
PDF文件:IXTQ75N10P 数据手册 (1 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IXTQ75N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-3-3
通道数1 Channel
漏源极电阻21 mΩ
极性N-CH
功耗360 W
阈值电压5.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
连续漏极电流(Ids)75A
上升时间53 ns
输入电容值(Ciss)2250pF @25V(Vds)
下降时间45 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)360W (Tc)
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IXTQ75N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.8 mm
宽度4.9 mm
高度20.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTQ75N10P 数据手册

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