| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -10.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 50 W |
| 增益频宽积 | 50 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
| 最小电流放大倍数 | 60 |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 800 |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40MHz 表面贴装型 D²PAK
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ON SEMICONDUCTOR MJB45H11T4G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE
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ON SEMICONDUCTOR MJB45H11G. 功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK
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互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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