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IXUN350N10
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IXUN350N10 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
Pictures:
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焊盘图
引脚图
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IXUN350N10 数据手册 (5 页)
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IXUN350N10 技术参数、封装参数

类型描述
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗830W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)350A
输入电容值(Ciss)27000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)830W (Tc)

IXUN350N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXUN350N10 数据手册

IXUN350N10 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.51 MByte

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