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IXGP16N60C2D1
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IXGP16N60C2D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
PDF文件:IXGP16N60C2D1 数据手册 (7 页)
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焊盘图
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IXGP16N60C2D1 数据手册 (7 页)
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IXGP16N60C2D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗150000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间30 ns
额定功率(Max)150 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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IXGP16N60C2D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGP16N60C2D1 数据手册

IXGP16N60C2D1 数据手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.21 MByte
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5 页 / 0.3 MByte

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