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IXXX110N65B4H1
来自 AiPCBA

IXXX110N65B4H1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXXX110N65B4H1 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXXX110N65B4H1 数据手册 (8 页)
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IXXX110N65B4H1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗880 W
击穿电压(集电极-发射极)650 V
反向恢复时间100 ns
额定功率(Max)880 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)880000 mW
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IXXX110N65B4H1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXXX110N65B4H1 数据手册

IXXX110N65B4H1 数据手册
IXYS Semiconductor
8 页 / 0.25 MByte
IXXX110N65B4H1 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.24 MByte

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